contact@polemicrotechniques.fr
+33 (0)3 81 40 47 55
Devenir membre Inscription newsletter

FREC N SYS

2014

Présentation

Le projet FREC'N'SYS est la raison d'éxistence de la société du même nom. Cette dernière conçoit, fabrique et fournit des capteurs, filtres et des sources radio-fréquences sur tranches de matériaux piézoélectriques. Le projet se décompose en lots de travail et couvre les 3 axes suivants:- la stabilisation des procédés de dépôt de films d'AlN pour des composants passifs RF,- la qualification et le transfert des techniques de report et d'amincissement de wafers piézoélectriques sur silicium,- l'adaptation des outils de simulation et d'analyse pour les RF-MEMS.Le projet a pour but le développement des briques nécessaires à la conception de puces pour capteurs SAW qui évolueront en environnements sévères (température > 500°). Ces derniers pourront être utilisés pour effectuer toutes mesures physiques désirées. Cette caractéristique intéresse entre autre, les entreprises de l'industrie lourde pour effectuer des suivis de maintenance, de température.

Porteurs

FREC’N’SYS

Partenaires

UFC, CEA LETI, EPFL, GVR Trade

Chiffres

Date de démarrage : 01/04/2014

Budget total : 749 860 €

Domaine d'application

Mesures et contrôles

Nos adhérents impliqués dans le projet

UNIVERSITÉ DE FRANCHE-COMTÉ DIRECTION RECHERCHE ET VALORISATION
FREC’N’SYS SAS

Découvrez les projets labellisés par le Pôle

SMAT-Coating

2012

Nanostructuration de dépôts élaborés par propjection thermique par grenaillage ultrasonique (SMAT) : ANR Blanc international France/Hong-Kong.

En savoir +

APOTEOSE

2013

Analyses de l'impact des Pertes Ohmiques par approches Théorique et Expérimentale sur les limites Opérationnelles ultimes des filtres passifs à ondes élastiques à l'aide d'électrodes Supraconductrices

En savoir +

DIONYSOS

2006

Projet est basé sur la mise au point d'un composite formé par le report d'une couche piézo-électrique (Niobiate ou Tantalate de Lithium) sur un substrat à faible dérive thermique (quartz) ou dérive contraire.

En savoir +